IBM с партнерами разрабатывает технологию моделирования процесса для выпуска 22 нм чипов

Данные разработки позволят минимизировать вероятность изменения параметров процесса, снизить затраты на R&D и ускорить вывод на рынок готовых 22-нанометровых продуктов. Для претворения в жизнь новой технологии будут использоваться транзисторы FinFET – потенциальные заменители обычных планарных транзисторов в чипах новым уровнем детализации. Для выпуска 22-нанометровых полупроводников в методах литографии, применяемых при производстве чипов с уровнем детализации 45 нм и более, необходимо провести определенные изменения – убрать физические ограничения для критических слоев чипов при создании рисунка схемы на кремниевой пластине. С этой целью IBM запустила инициативу Computational Scaling, в рамках которой можно будет выпускать чипы с уровнем детализации 22 нм и меньше.